シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価およびシングルイオン照射損傷に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価およびシングルイオン照射損傷に関する研究
• Title Transcription: シングル イオン ショウシャ ニ ヨル チョウLSI ノ ホウシャセン タイセイ ヒョウカ オヨビ シングル イオン ショウシャ ソンショウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 松川貴 [著]
• Author Heading: 松川, 貴 マツカワ, タカシ
• Degree grantor/type: 早稲田大学
• Date Granted: 平成8年3月15日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第1120号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-H442
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000296712; http://id.ndl.go.jp/bib/000000296712
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1部 シングルイオン照射による超LSIの放射線耐性評価

第1章 序論

1.1 研究の背景および目的

1.2 第1部の概要