反射高速電子回折法による化合物半導体表面の構造解析および薄膜成長動的過程の評価

• Material Type: 博士論文
• Title: 反射高速電子回折法による化合物半導体表面の構造解析および薄膜成長動的過程の評価
• Title Transcription: ハンシャ コウソク デンシ カイセツホウ ニ ヨル カゴウブツ ハンドウタイ ヒョウメン ノ コウゾウ カイセキ オヨビ ハクマク セイチョウ ドウテキ カテイ ノ ヒョウカ
• Author/Editor: 大竹晃浩 [著]
• Author Heading: 大竹, 晃浩 オオタケ, アキヒロ
• Degree grantor/type: 早稲田大学
• Date Granted: 平成8年3月7日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第1131号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-H453
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000296723; http://id.ndl.go.jp/bib/000000296723
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1-1.はじめに

1-2.本研究の目的

1-3.本論文の概要