Semiconductor lasers and high electron mobility transistors (HEMTs) using InP-related materials

• Material Type: 博士論文
• Title: Semiconductor lasers and high electron mobility transistors (HEMTs) using InP-related materials
• Author/Editor: 吉田直人 [著]
• Author Heading: 吉田, 直人 ヨシダ, ナオヒト
• Alternative Title: InP関連材料を用いた半導体レーザと高電子移動度トランジスタに関する研究 InP カンレン ザイリョウ オ モチイタ ハンドウタイ レーザ ト コウデンシ イドウド トランジスタ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 名古屋工業大学
• Date Granted: 平成8年3月15日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 乙第98号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-K163
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000297547; http://id.ndl.go.jp/bib/000000297547
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

1.General Introduction

1.1.InP-related compounds material

1.2.Application to semiconductor lasers

1.3.Application to electron devices