集積回路用半絶縁性GaAs結晶の評価及びノンストイキオメトリ制御に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 集積回路用半絶縁性GaAs結晶の評価及びノンストイキオメトリ制御に関する研究
• Title Transcription: シュウセキ カイロヨウ ハンゼツエンセイ GaAs ケッショウ ノ ヒョウカ オヨビ ノンストイキオメトリ セイギョ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 藤崎芳久 [著]
• Author Heading: 藤崎, 芳久 フジサキ, ヨシヒサ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成6年5月19日
• Date Granted (W3CDTF): 1994
• Dissertation Number: 乙第11801号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-R62
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000300873; http://id.ndl.go.jp/bib/000000300873
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序章

1.1 緒言

1.2 GaAs集積回路の素子特性と基板結晶の関係

1.3 半絶縁性機構