A study on stress-induced growth characteristics in lateral solid phase epitaxy of Ge-incorporated Si films

• Material Type: 博士論文
• Title: A study on stress-induced growth characteristics in lateral solid phase epitaxy of Ge-incorporated Si films
• Author/Editor: 呉貞姫 [著]
• Author Heading: 呉, 貞姫 オウ, ゾンヒ
• Alternative Title: 応力誘起結晶成長法を用いたGe添加非晶質Si膜の横方向固相成長に関する研究 オウリョク ユウキ ケッショウ セイチョウホウ オ モチイタ Ge テンカ ヒショウシツ Siマク ノ ヨコホウコウ コソウ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成7年9月30日
• Date Granted (W3CDTF): 1995
• Dissertation Number: 甲第3091号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-S190
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000301515; http://id.ndl.go.jp/bib/000000301515
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

Abstract

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CHAPTER1 Introduction

1-1 Need for SOI(Silicon-on-Insulator)structure