Study on electron beam modification of fluoride surface for heteroepitaxy of compound semiconductor on fluoride structure

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on electron beam modification of fluoride surface for heteroepitaxy of compound semiconductor on fluoride structure
• Author/Editor: 黄相満 [著]
• Author Heading: 黄, 相満 ホァン, サンマン
• Alternative Title: 弗化物上化合物半導体ヘテロエピタキシーのための弗化物の電子ビーム表面改質に関する研究 フッカブツジョウ カゴウブツ ハンドウタイ ヘテロエピタキシー ノ タメ ノ フッカブツ ノ デンシ ビーム ヒョウメン カイシツ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成7年10月31日
• Date Granted (W3CDTF): 1995
• Dissertation Number: 甲第3094号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-S193
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000301518; http://id.ndl.go.jp/bib/000000301518
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

CONTENTS

Chapter1 Introduction

1.1 Recent Trends of Device and it's Limitation

1.2 Significance of GaAs/fluoride/Si Structure