Study of Ⅲ-Ⅵ layered semiconductor thin films grown by molecular beam epitaxy

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of Ⅲ-Ⅵ layered semiconductor thin films grown by molecular beam epitaxy
• Author/Editor: 小島信晃 [著]
• Author Heading: 小島, 信晃 コジマ, ノブアキ
• Alternative Title: 分子線エピタキシー法により作製したⅢ-Ⅵ族層状半導体薄膜に関する研究 ブンシセン エピタキシーホウ ニ ヨリ サクセイシタ 3 - 6ゾク ソウジョウ ハンドウタイ ハクマク ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成8年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 甲第3191号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-96-S290
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000301615; http://id.ndl.go.jp/bib/000000301615
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

TABLE OF CONTENTS

Chapter1 overview and Objebtives of This Study

Chapter2 Key Features of III-VI Compound Semiconductors and Their Growth Techniques

2-1 Crystal structures and phase diagrams of III-VI compounds