イオンビームプロセスによる受発光素子用半導体材料の作成と光物性評価に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: イオンビームプロセスによる受発光素子用半導体材料の作成と光物性評価に関する研究
• Title Transcription: イオン ビーム プロセス ニ ヨル ジュハッコウ ソシヨウ ハンドウタイ ザイリョウ ノ サクセイ ト ヒカリ ブッセイ ヒョウカ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 勝俣裕 [著]
• Author Heading: 勝俣, 裕 カツマタ, ヒロシ
• Degree grantor/type: 明治大学
• Date Granted: 平成9年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 甲第180号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-97-C411
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000306144; http://id.ndl.go.jp/bib/000000306144
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1.1 本研究の背景―光デバイスとイオンビームプロセス技術の動向―

1.2 シリサイドとその応用

1.3 β-FeSi₂の特質