MOCVD法によるInP系化合物半導体結晶成長と光デバイスへの適用に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: MOCVD法によるInP系化合物半導体結晶成長と光デバイスへの適用に関する研究
• Title Transcription: MOCVDホウ ニ ヨル InPケイ カゴウブツ ハンドウタイ ケッショウ セイチョウ ト ヒカリ デバイス エ ノ テキヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 木村達也 [著]
• Author Heading: 木村, 達也 キムラ, タツヤ
• Degree grantor/type: 名古屋工業大学
• Date Granted: 平成9年3月10日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 乙第111号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-97-K407
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000309882; http://id.ndl.go.jp/bib/000000309882
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1-1 はじめに

1-2 MOCVD結晶成長技術

1-3 MOCVD法による通信用長波長半導体レーザ研究開発における筆者の役割と貢献