放射光励起半導体素子作製プロセスに関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 放射光励起半導体素子作製プロセスに関する研究
• Title Transcription: ホウシャコウ レイキ ハンドウタイ ソシ サクセイ プロセス ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 内海裕一 [著]
• Author Heading: 内海, 裕一 ウツミ, ユウイチ
• Degree grantor/type: 名古屋大学
• Date Granted: 平成9年3月12日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 乙第5170号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-97-N477
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000311561; http://id.ndl.go.jp/bib/000000311561
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1.1 半導体素子の基本加工技術と問題点

1.2 光励起による半導体プロセスの可能性と課題

1.3 シンクロトロン放射光の発生原理と特徴