Si-Ge系ヘテロ構造のMBE成長とその2次元電子, 正孔の電気的特性に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: Si-Ge系ヘテロ構造のMBE成長とその2次元電子, 正孔の電気的特性に関する研究
• Title Transcription: Si-Geケイ ヘテロ コウゾウ ノ MBE セイチョウ ト ソノ 2ジゲン デンシ , セイコウ ノ デンキテキ トクセイ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 小幡勤 [著]
• Author Heading: 小幡, 勤 オバタ, ツトム
• Degree grantor/type: 富山大学
• Date Granted: 平成9年3月31日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 甲第16号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-97-W526
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000316172; http://id.ndl.go.jp/bib/000000316172
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

1 序論

1.1 半導体

1.2 本研究の背景

1.3 本研究の目的と各章のあらまし