分子吸着の自己抑制機構発現による高精度3C-SiC薄膜のエピタキシャル成長に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 分子吸着の自己抑制機構発現による高精度3C-SiC薄膜のエピタキシャル成長に関する研究
• Title Transcription: ブンシ キュウチャク ノ ジコ ヨクセイ キコウ ハツゲン ニ ヨル コウセイド 3C-SiC ハクマク ノ エピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 長澤弘幸 [著]
• Author Heading: 長澤, 弘幸 ナガサワ, ヒロユキ
• Degree grantor/type: 東海大学
• Date Granted: 平成9年9月22日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 乙第312号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-97-Y157
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000316876; http://id.ndl.go.jp/bib/000000316876
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1.1 エレクトロニクス技術の将来

1.2 素子材料としてのSiCの諸特性

1.3 SiC成長に関する歴史的背景