Studies of Si adatom arrangement and Ge growth on As-stabilized Si(111) surfaces

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies of Si adatom arrangement and Ge growth on As-stabilized Si(111) surfaces
• Author/Editor: 安田晴行 [著]
• Author Heading: 安田, 晴行 ヤスダ, ハルユキ
• Alternative Title: Asにより安定化されたSi(111) 表面でのSi原子配列およびGe成長に関する研究 As ニ ヨリ アンテイカサレタ Si(111) ヒョウメン デ ノ Si ゲンシ ハイレツ オヨビ Ge セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成9年10月24日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 甲第6101号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-B20
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000317719; http://id.ndl.go.jp/bib/000000317719
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Abstract

Contents

1 Introduction

1.1.Introduction

1.2 Si(111)“1×1”surface