Study of carbon doped n-type InP and its application to heterojunction bipolar transistors (HBTs)

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of carbon doped n-type InP and its application to heterojunction bipolar transistors (HBTs)
• Author/Editor: 呉済煥 [著]
• Author Heading: 呉, 済煥 オー, ジェホアン
• Alternative Title: カーボンドープn形Inpとヘテロ接合バイポーラトランジスターへの応用に関する研究 カーボン ドープ nケイ Inp ト ヘテロ セツゴウ バイポーラ トランジスター エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成9年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 甲第3452号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-B269
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000317968; http://id.ndl.go.jp/bib/000000317968
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

TABLE OF CONTENTS

Chapter 1 Overview and Objective of This Study

Chapter 2 Key Features and Related Issues for InP-based Heterojunction Bipolar Transistors(HBTs)

2-1.Introduction