Analytical models for shallow base bipolar transistors and deep submicron double-gate SOI MOSFETs

• Material Type: 博士論文
• Title: Analytical models for shallow base bipolar transistors and deep submicron double-gate SOI MOSFETs
• Author/Editor: 鈴木邦広 [著]
• Author Heading: 鈴木, 邦広 スズキ, クニヒロ
• Alternative Title: 浅いベース接合を持つバイポーラトランジスタならびに二重ゲート微細SOI MOSFETsに関する解析モデル アサイ ベース セツゴウ オ モツ バイポーラ トランジスタ ナラビニ ニジュウ ゲート ビサイ SOI MOSFETs ニ カンスル カイセキ モデル
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成8年5月31日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 乙第2908号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-B393
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000318092; http://id.ndl.go.jp/bib/000000318092
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

I.Introduction

II.Models for polysilicon emitter contact bipolar transistors in low-injection regime

II-1.Introduction

II-2.Base current model considering polysilicon emitter contact