Migration-Enhanced Epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsヘテロエピタキシャル成長に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: Migration-Enhanced Epitaxy法を用いたSi基板上への低転位密度GaAsヘテロエピタキシャル成長に関する研究
• Title Transcription: Migration-Enhanced Epitaxyホウ オ モチイタ Si キバンジョウ エ ノ テイテンイ ミツド GaAs ヘテロエピタキシャル セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 野沢和彦 [著]
• Author Heading: 野沢, 和彦 ノザワ, カズヒコ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成8年9月30日
• Date Granted (W3CDTF): 1996
• Dissertation Number: 乙第2942号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-B427
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000318126; http://id.ndl.go.jp/bib/000000318126
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

目次

第1章 序論

1.1 背景

1.2 本研究の目的