Study of Ⅲ-Ⅵ compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of Ⅲ-Ⅵ compound semiconductors grown by molecular beam epitaxy
• Author/Editor: 岡本保 [著]
• Author Heading: 岡本, 保 オカモト, タモツ
• Alternative Title: 分子線エピタキシー法で成長したⅢ-Ⅵ族化合物半導体に関する研究 ブンシセン エピタキシーホウ デ セイチョウ シタ 3-6 ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成9年2月28日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 乙第3008号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-B493
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000318192; http://id.ndl.go.jp/bib/000000318192
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

TABLE OF CONTENTS

Preface

Chapter 1 Overview and Objectives of This Study

Chapter 2 Key Features of III-VI and II-III-VI Compound Semiconductors