Study of InP/InGaAs heterostructure bipolar transistors grown by metal-organic vapor phase epitaxy

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of InP/InGaAs heterostructure bipolar transistors grown by metal-organic vapor phase epitaxy
• Author/Editor: 栗島賢二 [著]
• Author Heading: 栗島, 賢二 クリシマ, ケンジ
• Alternative Title: 有機金属気相成長InP/InGaAsヘテロ構造バイポーラトランジスタに関する研究 ユウキ キンゾク キソウ セイチョウ InP/InGaAs ヘテロ コウゾウ バイポーラ トランジスタ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成9年3月31日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 乙第3033号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-B518
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000318217; http://id.ndl.go.jp/bib/000000318217
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

Table of Contents

1.Introduction

1.1 Status and potential of InP-based HBTs

1.2 Backeround of HBTs