MOS型パワーデバイスの低損失・高破壊耐量化に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: MOS型パワーデバイスの低損失・高破壊耐量化に関する研究
• Title Transcription: MOSガタ パワー デバイス ノ テイソンシツ ・ コウハカイ タイリョウカ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 岩室憲幸 [著]
• Author Heading: 岩室, 憲幸 イワムロ, ノリユキ
• Degree grantor/type: 早稲田大学
• Date Granted: 平成10年3月5日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 乙第1345号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-J436
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000321955; http://id.ndl.go.jp/bib/000000321955
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1.1 パワーデバイス研究開発の経緯

1.2 本研究の目的

第2章 デバイスシミュレーション技術の開発