H[2]プラズマスパッタリング法によるSi基板上への3C-SiC薄膜の作製に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: H[2]プラズマスパッタリング法によるSi基板上への3C-SiC薄膜の作製に関する研究
• Title Transcription: H2 プラズマ スパッタリングホウ ニ ヨル Si キバンジョウ エ ノ 3C-SiC ハクマク ノ サクセイ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 園田信夫 [著]
• Author Heading: 園田, 信夫 ソノダ, ノブオ
• Degree grantor/type: 九州工業大学
• Date Granted: 平成10年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 乙第5号
• Degree Type: 博士 (情報工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-U144
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000327353; http://id.ndl.go.jp/bib/000000327353
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1.1 SiCの特徴と作製の意義

1.2 H₂プラズマスパッタリングの特徴

1.3 本研究の背景と目的