InGaAs歪混晶層の分子線エピタキシャル成長と高速電子デバイスへの応用に関する研究

The cover of this title could differ from library to library.

Available with Digitized Contents Transmission Service

国立国会図書館デジタルコレクション

Available for viewing via the Digitized Contents Transmission Service for Individuals to official registered users of the NDL, who resides in Japan.

InGaAs歪混晶層の分子線エピタキシャル成長と高速電子デバイスへの応用に関する研究

Notes on use

Search by Bookstore

Mina Search
- プレーンテキスト
  Registered users of Mina Search can download or stream this content.

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Material Type: 博士論文
Title: InGaAs歪混晶層の分子線エピタキシャル成長と高速電子デバイスへの応用に関する研究
Title Transcription: InGaAs ヒズミコンショウソウノブンシセンエピタキシャルセイチョウトコウソクデンシデバイスエノオウヨウニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 豊島秀雄 [著]
Author Heading: 豊島, 秀雄トヨシマ, ヒデオ
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 平成10年9月24日
Date Granted (W3CDTF): 1998
Dissertation Number: 乙第9953号
Degree Type: 博士 (工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-98-W295
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000000328599
http://id.ndl.go.jp/bib/000000328599
Bibliographic Record Category (NDL): 213