InGaAs歪混晶層の分子線エピタキシャル成長と高速電子デバイスへの応用に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: InGaAs歪混晶層の分子線エピタキシャル成長と高速電子デバイスへの応用に関する研究
• Title Transcription: InGaAs ヒズミ コンショウソウ ノ ブンシセン エピタキシャル セイチョウ ト コウソク デンシ デバイス エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 豊島秀雄 [著]
• Author Heading: 豊島, 秀雄 トヨシマ, ヒデオ
• Degree grantor/type: 京都大学
• Date Granted: 平成10年9月24日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 乙第9953号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-W295
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000328599; http://id.ndl.go.jp/bib/000000328599
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

目次

内容梗概

謝辞

第1章 序論