Observation of interface states in the Si band-gap for MOS devices by means of XPS measurements under biases

• Material Type: 博士論文
• Title: Observation of interface states in the Si band-gap for MOS devices by means of XPS measurements under biases
• Author/Editor: 山下良之 [著]
• Author Heading: 山下, 良之 ヤマシタ, ヨシユキ
• Alternative Title: バイアス電圧印加時のXPS測定によるMOSデバイスのシリコンバンドギャップ内の界面準位の観測 バイアス デンアツ インカジ ノ XPS ソクテイ ニ ヨル MOS デバイス ノ シリコン バンドギャップナイ ノ カイメン ジュンイ ノ カンソク
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成10年3月25日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 甲第6510号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-X403
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000329284; http://id.ndl.go.jp/bib/000000329284
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Chapter 1

General Introduction

Chapter 2

Direct observation of bias-induced shifts of semiconductor core levels for metaloxide-semiconductor devices