Development of a novel technology of atomic layer epitaxy for Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors and study on its growth mechanism

• Material Type: 博士論文
• Title: Development of a novel technology of atomic layer epitaxy for Ⅲ-Ⅴ compound semiconductors and study on its growth mechanism
• Author/Editor: 佐久間芳樹 [著]
• Author Heading: 佐久間, 芳樹 サクマ, ヨシキ
• Alternative Title: Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の新しい原子層エピタキシ技術の開発と結晶成長機構に関する研究 3-5 ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ノ アタラシイ ゲンシソウ エピタキシ ギジュツ ノ カイハツ ト ケッショウ セイチョウ キコウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 平成9年12月19日
• Date Granted (W3CDTF): 1997
• Dissertation Number: 乙第7379号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-X443
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000329324; http://id.ndl.go.jp/bib/000000329324
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

ABSTRACT

CONTENTS

Chapter1. Introduction

1.1 Preliminaries

1.2 Background