イオン性度制御層によるイオン性結晶と共有結合性結晶の界面制御エピタキシーの研究

• Material Type: 博士論文
• Title: イオン性度制御層によるイオン性結晶と共有結合性結晶の界面制御エピタキシーの研究
• Title Transcription: イオンセイド セイギョソウ ニ ヨル イオンセイ ケッショウ ト キョウユウ ケツゴウセイ ケッショウ ノ カイメン セイギョ エピタキシー ノ ケンキュウ
• Author/Editor: Mohammad Mustafa Sarinanto [著]
• Author Heading: Mohammad Mustafa Sarinanto モハンマッド ムスタファ サリナント
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成10年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 甲第3834号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-Y270
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000329769; http://id.ndl.go.jp/bib/000000329769
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

目次

第1章 序論

1.1 はじめに

1.2 半導体/弗化物/半導体における問題点