GaAs傾斜基板上へのInGaAs/GaAs歪量子井戸形成と面発光レーザへの応用

• Material Type: 博士論文
• Title: GaAs傾斜基板上へのInGaAs/GaAs歪量子井戸形成と面発光レーザへの応用
• Title Transcription: GaAs ケイシャ キバンジョウ エ ノ InGaAs/GaAs ヒズミ リョウシ イド ケイセイ ト メン ハッコウ レーザ エ ノ オウヨウ
• Author/Editor: 高橋光男 [著]
• Author Heading: 高橋, 光男 タカハシ, ミツオ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成10年2月28日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 乙第3139号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-98-Y420
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000329919; http://id.ndl.go.jp/bib/000000329919
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文目録

目次

第1章 序論

1.1 研究背景と動向

1.2 傾斜基板を用いる半導体レーザの現状と課題