IGBTの高耐圧化に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: IGBTの高耐圧化に関する研究
• Title Transcription: IGBT ノ コウタイアツカ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 山田富久 [著]
• Author Heading: 山田, 富久 ヤマダ, トミヒサ
• Degree grantor/type: 九州大学
• Date Granted: 平成10年9月30日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 乙第6744号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-A217
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000330885; http://id.ndl.go.jp/bib/000000330885
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1-1 パワー半導体デバイス研究開発の社会的背景

1-2 パワーデバイスの歴史的背景

1-3 研究開発の動機と目的