Electromigration mechanisms of VLSI multilevel interconnects

• Material Type: 博士論文
• Title: Electromigration mechanisms of VLSI multilevel interconnects
• Author/Editor: 河崎尚夫 [著]
• Author Heading: 河崎, 尚夫 カワサキ, ヒサオ
• Alternative Title: VLSI多層配線のエレクトロマイグレーションメカニズムに関する研究 VLSI タソウ ハイセン ノ エレクトロ マイグレーション メカニズム ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東北大学
• Date Granted: 平成10年9月9日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 甲第6601号
• Degree Type: 博士(工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-H24
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000334934; http://id.ndl.go.jp/bib/000000334934
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Chapter 1 Introduction

1.1 Electromigration Reliability of Al-based Interconnects

1.2 Overview

Chapter 2 Issues in Conventional Electromigration Characterization Procedures