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低エネルギイオン照射を用いた低温シリコン薄膜形成プロセスの研究

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低エネルギイオン照射を用いた低温シリコン薄膜形成プロセスの研究

Call No. (NDL)
UT51-99-H330
Bibliographic ID of National Diet Library
000000335240
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/3150049
Material type
博士論文
Author
進藤亘 [著]
Publisher
-
Publication date
-
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
東北大学,博士(工学)
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Notes on use

Note (General):

博士論文

Table of Contents

  • 目次

    p1

  • 第1章 序論

    p1

  • 1.1 固体電子工学の発展

    p1

  • 1.2 結晶成長の低温化と低エネルギイオン照射プロセス

    p2

  • 1.3 インライン欠陥検査を用いた歩留り管理

    p4

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Paper Digital

Material Type
博士論文
Title Transcription
テイエネルギ イオン ショウシャ オ モチイタ テイオン シリコン ハクマク ケイセイ プロセス ノ ケンキュウ
Author/Editor
進藤亘 [著]
Author Heading
進藤, 亘 シンドウ, ワタル
Degree grantor/type
東北大学
Date Granted
平成11年3月25日
Date Granted (W3CDTF)
1999
Dissertation Number
甲第6907号
Degree Type
博士(工学)