0.1μm WSiN自己整合ゲートGaAs-MESFETの高性能化および製作技術に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 0.1μm WSiN自己整合ゲートGaAs-MESFETの高性能化および製作技術に関する研究
• Title Transcription: 0.1mm WSiN ジコ セイゴウ ゲート GaAs-MESFET ノ コウセイノウカ オヨビ セイサク ギジュツ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 西村一巳 [著]
• Author Heading: 西村, 一巳 ニシムラ, カズミ
• Degree grantor/type: 東北大学
• Date Granted: 平成11年3月10日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 乙第7696号
• Degree Type: 博士(工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-H696
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000335606; http://id.ndl.go.jp/bib/000000335606
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1-1.研究の背景

1-2.研究の目的および概要

第2章 GaAs MESFETの性能指数