CoSi2ゲートMOS形トンネル電子放出素子の作製に関する研究
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Table of Contents
目次
p1
第1章 序論
p1
1.1 研究の背景と目的
p1
1.2 本論文の要旨と構成
p4
第2章 高品質トンネル酸化膜の形成と特性評価
p5
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- CoSi2 ゲート MOSケイ トンネル デンシ ホウシュツ ソシ ノ サクセイ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 張依群 [著]
- Author Heading
- 張, 依群 ジャン, イチュン
- Degree grantor/type
- 九州大学
- Date Granted
- 平成11年3月25日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1999
- Dissertation Number
- 甲第4806号
- Degree Type
- 博士(工学)