Siを単原子層ドープしたGaAsのサブバンド構造と磁気輸送特性に関する研究
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Table of Contents
目次
p1
第1章 序論
p1
1-1 本研究の背景
p1
1-2 原子層ドーピングに関する歴史
p2
1-3 デバイス応用
p4
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- Si オ タンゲンシソウ ドープシタ GaAs ノ サブバンド コウゾウ ト ジキ ユソウ トクセイ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 勝野元成 [著]
- Author Heading
- 勝野, 元成 カツノ, モトナリ
- Degree grantor/type
- 名古屋大学
- Date Granted
- 平成11年3月25日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1999
- Dissertation Number
- 甲第4282号
- Degree Type
- 博士(工学)