Study on material characteristics of heteroepitaxial GaN and GaAs for opto-electronic devices

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on material characteristics of heteroepitaxial GaN and GaAs for opto-electronic devices
• Author/Editor: 林靖彦 [著]
• Author Heading: 林, 靖彦 ハヤシ, ヤスヒコ
• Alternative Title: 光・電子デバイス用ヘテロエピタキシャルGaNおよびGaAsの物性に関する研究 ヒカリ デンシ デバイスヨウ ヘテロエピタキシャル GaN オヨビ GaAs ノ ブッセイ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 名古屋工業大学
• Date Granted: 平成11年3月24日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 甲第269号
• Degree Type: 博士(工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-M31
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000337481; http://id.ndl.go.jp/bib/000000337481
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

1 Introduction

1.1 Background

1.2 Purpose of Dissertation

1.3 Organization of Dissertation