Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体への不純物ドーピングメカニズムの研究

• Material Type: 博士論文
• Title: Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体への不純物ドーピングメカニズムの研究
• Title Transcription: 3-5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ エ ノ フジュンブツ ドーピング メカニズム ノ ケンキュウ
• Author/Editor: 佐野恵利子 [著]
• Author Heading: 佐野, 恵利子 サノ, エリコ
• Degree grantor/type: 早稲田大学
• Date Granted: 平成11年3月15日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 甲第1342号
• Degree Type: 博士(工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-M485
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000337935; http://id.ndl.go.jp/bib/000000337935
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

謝辞

第1章 序論

1.1 はじめに

1.2 化合物半導体における不純物ドーピング特性