シリコンウェーハの電気的特性評価に関する研究
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Table of Contents
目次
p1
第1章､序論
p1
1-1､研究の背景―LSIデバイスの信頼性に要求される結晶起因の電気的特性―
p1
1-2､シリコンプロセスの概要
p6
1-3､シリコン半導体の電気的特性評価法の概要
p8
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- シリコン ウェーハ ノ デンキテキ トクセイ ヒョウカ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 村上義男 [著]
- Author Heading
- 村上, 義男 ムラカミ, ヨシオ
- Degree grantor/type
- 早稲田大学
- Date Granted
- 平成10年10月15日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1998
- Dissertation Number
- 乙第1396号
- Degree Type
- 博士(工学)