シリコン選択エピタキシャル成長技術の超高集積回路への応用に関する研究
Available with Digitized Contents Transmission Service
Find on the publisher's website
国立国会図書館デジタルコレクション
Available for viewing via the Digitized Contents Transmission Service for Individuals to official registered users of the NDL, who resides in Japan.
Search by Bookstore
Read this material in an accessible format.
Table of Contents
-目次-
p1
第1章 緒論
p1
1.1 はじめに
p1
1.2 Si選択エピタキシャル成長技術に関する従来研究の経緯
p3
1.3 Si選択エピタキシャル成長技術を半導体デバイスへ適用した従来研究の経緯
p6
Search by Bookstore
Read in Disability Resources
- Mina Search
- プレーンテキスト
Registered users of Mina Search can download or stream this content.
Bibliographic Record
You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.
- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- シリコン センタク エピタキシャル セイチョウ ギジュツ ノ チョウコウシュウセキ カイロ エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 笠井直記 [著]
- Author Heading
- 笠井, 直記 カサイ, ナオキ
- Degree grantor/type
- 早稲田大学
- Date Granted
- 平成11年2月4日
- Date Granted (W3CDTF)
- 1999
- Dissertation Number
- 乙第1420号
- Degree Type
- 博士(工学)