LSI多層配線における低誘電率層間絶縁膜に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: LSI多層配線における低誘電率層間絶縁膜に関する研究
• Title Transcription: LSI タソウ ハイセン ニ オケル テイユウデンリツソウカン ゼツエンマク ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 遠藤和彦 [著]
• Author Heading: 遠藤, 和彦 エンドウ, カズヒコ
• Degree grantor/type: 早稲田大学
• Date Granted: 平成11年3月4日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 乙第1443号
• Degree Type: 博士(工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-M582
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000338032; http://id.ndl.go.jp/bib/000000338032
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1.1 本研究の背景

1.2 LSIにおける多層配線技術とその高性能化の課題

1.3 低誘電率層間絶縁膜の必要性とその課題