Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ヘテロエピタキシーにおける貫通転位密度の低減および表面の平坦化に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体ヘテロエピタキシーにおける貫通転位密度の低減および表面の平坦化に関する研究
• Title Transcription: 3 - 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ヘテロエピタキシー ニ オケル カンツウ テンイ ミツド ノ テイゲン オヨビ ヒョウメン ノ ヘイタンカ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 左文字克哉 [著]
• Author Heading: 左文字, 克哉 サモンジ, カツヤ
• Degree grantor/type: 豊橋技術科学大学
• Date Granted: 平成11年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 甲第224号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-S378
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000341416; http://id.ndl.go.jp/bib/000000341416
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文要旨

目次

第1章 序論

1.1 III-V族化合物半導体の格子不整合ヘテロエピタキシー技術とその意義

1.2 格子不整合ヘテロエピタキシーの問題点