Study on the preparation and dielectric constant decrease mechanism of PECVD F-doped SiO[2] films

• Material Type: 博士論文
• Title: Study on the preparation and dielectric constant decrease mechanism of PECVD F-doped SiO[2] films
• Author/Editor: 林相佑 [著]
• Author Heading: 林, 相佑 リン, サンウ
• Alternative Title: PECVDによるF-doped SiO[2]薄膜の作製及び低誘電率化メカニズムに関する研究 PECVD ニ ヨル F-doped SiO2 ハクマク ノ サクセイ オヨビ テイユウデンリツカ メカニズム ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成10年3月30日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 甲第13459号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Alias of Author: Lin, Song-woo
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-U540
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000343156; http://id.ndl.go.jp/bib/000000343156
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

1.Introduction

1.1 Background of This Study

1.2 Purpose of This Study

Reference