硫化処理したInAs(111) およびInSb(001) 表面の構造および電子状態の研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 硫化処理したInAs(111) およびInSb(001) 表面の構造および電子状態の研究
• Title Transcription: リュウカ ショリ シタ InAs(111) オヨビ InSb(001) ヒョウメン ノ コウゾウ オヨビ デンシ ジョウタイ ノ ケンキュウ
• Author/Editor: 市川祐永 [著]
• Author Heading: 市川, 祐永 イチカワ, スケノリ
• Extent: 冊
• Degree grantor/type: 静岡大学
• Date Granted: 平成11年3月24日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 甲第185号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-99-Z413
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000347304; http://id.ndl.go.jp/bib/000000347304
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文の要旨

目次

第1章 序論

1.1 III-V族化合物半導体の応用分野

1.2 表面のパッシベーション(不活性化)