Metal-insulator transition in doped semiconductors without impurity compensation

• Material Type: 博士論文
• Title: Metal-insulator transition in doped semiconductors without impurity compensation
• Author/Editor: 渡部道生 [著]
• Author Heading: 渡部, 道生 ワタナベ, ミチオ
• Extent: 冊
• Alternative Title: 不純物補償のないドープした半導体の金属-絶縁体転移 フジュンブツ ホショウ ノ ナイ ドープシタ ハンドウタイ ノ キンゾク - ゼツエンタイ テンイ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成11年3月29日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 甲第14054号
• Degree Type: 博士 (理学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2000-A309
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000347763; http://id.ndl.go.jp/bib/000000347763
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

1 Introduction

2 Experiments

2.1 Sample preparation and characterization

2.2 Measurements