GaAs基板上への立方晶GaNのハライド気相成長に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: GaAs基板上への立方晶GaNのハライド気相成長に関する研究
• Title Transcription: GaAs キバンジョウ エノ リッポウショウ GaN ノ ハライド キソウ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 土屋晴稔 [著]
• Author Heading: 土屋, 晴稔 ツチヤ, ハルトシ
• Degree grantor/type: 筑波大学
• Date Granted: 平成10年7月24日
• Date Granted (W3CDTF): 1998
• Dissertation Number: 乙第1438号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2000-C734
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000350049; http://id.ndl.go.jp/bib/000000350049
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

第2章 研究の背景と目的

2-1 GaAs基板上への高品質･厚膜GaN層の必要性

2-2 立方晶GaN膜の高品質化と六方晶GaNの混入見積り