シングルイオン注入法による微小半導体の電気的特性制御に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: シングルイオン注入法による微小半導体の電気的特性制御に関する研究
• Title Transcription: シングル イオン チュウニュウホウ ニ ヨル ビショウ ハンドウタイ ノ デンキテキ トクセイ セイギョ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 品田賢宏 [著]
• Author Heading: 品田, 賢宏 シナダ, タカヒロ
• Degree grantor/type: 早稲田大学
• Date Granted: 平成12年3月15日
• Date Granted (W3CDTF): 2000
• Dissertation Number: 甲第1435号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2000-F561
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000352802; http://id.ndl.go.jp/bib/000000352802
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

1.1 研究の背景および目的

1.2 本研究の概要

第2章 シングルイオン注入法の開発