MOMBE法によるGaAsの選択成長技術とそのデバイス応用に関する研究
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Table of Contents
目次
p4
第1章 序論
p1
1.1.はじめに
p1
1.2.化合物半導体デバイスの特徴
p1
1.3.MBE法とMOVPE法について
p4
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- Material Type
- 博士論文
- Title Transcription
- MOMBEホウ ニ ヨル GaAs ノ センタク セイチョウ ギジュツ ト ソノ デバイス オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
- Author/Editor
- 古畑直規 [著]
- Author Heading
- 古畑, 直規 フルハタ, ナオキ
- Degree grantor/type
- 横浜国立大学
- Date Granted
- 平成12年3月31日
- Date Granted (W3CDTF)
- 2000
- Dissertation Number
- 乙第149号
- Degree Type
- 博士 (工学)