Studies of Si Epitaxial Deposition at Low Temperature Using an Electron Cyclotron Resonance Plasma

• Material Type: 博士論文
• Title: Studies of Si Epitaxial Deposition at Low Temperature Using an Electron Cyclotron Resonance Plasma
• Author/Editor: Junsi Gao [著]
• Author Heading: 高, 軍思 ガオ, ジュンシ
• Publication, Distribution, etc.: [Junsi Gao]
• Publication Date: 2000
• Publication Date (W3CDTF): 2000
• Extent: 1冊
• Alternative Title: 電子サイクロトロン共鳴プラズマスパッタリングによるエピタキシャルSi薄膜の低温堆積の研究 デンシ サイクロトロン キョウメイ プラズマ スパッタリング ニ ヨル エピタキシャル Si ハクマク ノ テイオン タイセキ ノ ケンキュウ
• Degree grantor/type: 九州大学
• Date Granted: 平成12年7月26日
• Date Granted (W3CDTF): 2000
• Dissertation Number: 乙第7096号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2000-P732
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000390487; http://id.ndl.go.jp/bib/000000390487
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

Contents

Acknowledgments

Symbols

Abstract

1.Introduction