走査トンネル顕微鏡・分光法による半導体表面上の水素・金属原子吸着プロセスの研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 走査トンネル顕微鏡・分光法による半導体表面上の水素・金属原子吸着プロセスの研究
• Title Transcription: ソウサ トンネル ケンビキョウ ブンコウホウ ニ ヨル ハンドウタイ ヒョウメンジョウ ノ スイソ キンゾク ゲンシ キュウチャク プロセス ノ ケンキュウ
• Author/Editor: 渡邉晃彦 [著]
• Author Heading: 渡邉, 晃彦 ワタナベ, アキヒコ
• Publication, Distribution, etc.: [渡邉晃彦]
• Publication Date: 1999
• Publication Date (W3CDTF): 1999
• Extent: 1冊
• Degree grantor/type: 九州工業大学
• Date Granted: 平成11年6月30日
• Date Granted (W3CDTF): 1999
• Dissertation Number: 甲第131号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2000-S74
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000393629; http://id.ndl.go.jp/bib/000000393629
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 緒論

第2章 走査トンネル顕微鏡による表面構造および局所表面電子状態の考え方と問題点

2.1.走査トンネル顕微鏡の動作原理

2.2.STM/STSの理論的扱い