Siに格子整合する3-5族化合物半導体の創成と無転位量子井戸構造の形成に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: Siに格子整合する3-5族化合物半導体の創成と無転位量子井戸構造の形成に関する研究
• Title Transcription: Si ニ コウシ セイゴウ スル 3 - 5ゾク カゴウブツ ハンドウタイ ノ ソウセイ ト ムテンイ リョウシ イド コウゾウ ノ ケイセイ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 藤本康弘 [著]
• Author Heading: 藤本, 康弘 フジモト, ヤスヒロ
• Publication, Distribution, etc.: [藤本康弘]
• Publication Date: 2001
• Publication Date (W3CDTF): 2001
• Extent: 1冊
• Degree grantor/type: 豊橋技術科学大学
• Date Granted: 平成13年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 2001
• Dissertation Number: 甲第286号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-G636
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000401487; http://id.ndl.go.jp/bib/000000401487
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

論文要旨

目次

第1章 序論

1.1 ヘテロエピタキシャル成長技術とデバイスへの応用

1.2 Si基板上のIII-V族化合物半導体ヘテロエピタキシーの問題点