分子線エピタキシーによる化合物半導体ヘテロ接合の構造制御に関する研究 : As系化合物半導体量子ドットの作製とデバイス応用、ならびにTe系化合物半導体ヘテロ接合の作製と特性評価

• Material Type: 博士論文
• Title: 分子線エピタキシーによる化合物半導体ヘテロ接合の構造制御に関する研究 : As系化合物半導体量子ドットの作製とデバイス応用、ならびにTe系化合物半導体ヘテロ接合の作製と特性評価
• Title Transcription: ブンシセン エピタキシー ニ ヨル カゴウブツ ハンドウタイ ヘテロ セツゴウ ノ コウゾウ セイギョ ニ カンスル ケンキュウ : Asケイ カゴウブツ ハンドウタイ リョウシ ドット ノ サクセイ ト デバイス オウヨウ ナラビニ Teケイ カゴウブツ ハンドウタイ ヘテロ セツゴウ ノ サクセイ ト トクセイ ヒョウカ
• Author/Editor: 小池一歩 [著]
• Author Heading: 小池, 一歩 コイケ, カズト
• Publication, Distribution, etc.: [小池一歩]
• Publication Date: [2001]
• Publication Date (W3CDTF): 2001
• Extent: 1冊
• Degree grantor/type: 大阪工業大学
• Date Granted: 平成13年3月12日
• Date Granted (W3CDTF): 2001
• Dissertation Number: 甲第29号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-G670
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000401557; http://id.ndl.go.jp/bib/000000401557
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

はじめに

第1部

第1章 序論

第2章 GaAsを下地層としたInAs量子ドットの分子線エピタキシャル成長