SiおよびSiC結晶成長反応素過程に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: SiおよびSiC結晶成長反応素過程に関する研究
• Title Transcription: Si オヨビ SiC ケッショウ セイチョウ ハンノウ ソカテイ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 篠原正典 [著]
• Author Heading: 篠原, 正典 シノハラ, マサノリ
• Publication, Distribution, etc.: [篠原正典]
• Publication Date: [2001]
• Publication Date (W3CDTF): 2001
• Extent: 1冊
• Degree grantor/type: 東北大学
• Date Granted: 平成13年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 2001
• Dissertation Number: 甲第7956号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2001-N735
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000409500; http://id.ndl.go.jp/bib/000000409500
• Bibliographic Record Category (NDL): 213

Table of Contents

目次

第1章 序論

第1節 SiおよびSiC結晶成長反応素過程の研究の背景

第1項 エピタキシーの重要性

第2項 エピタキシャル成長方法―CVD法､ガスソースMBE法