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超LSIレジストの分子設計 (表面・薄膜分子設計シリーズ ; 11)

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超LSIレジストの分子設計(表面・薄膜分子設計シリーズ ; 11)

Call No. (NDL)
PA441-E53
Bibliographic ID of National Diet Library
000002039115
Persistent ID (NDL)
info:ndljp/pid/13644841
Material type
図書
Author
津田穣 著
Publisher
共立出版
Publication date
1990.4
Material Format
Paper・Digital
Capacity, size, etc.
117p ; 19cm
NDC
578.4
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Notes on use

Note (General):

叢書の編者: 日本表面科学会

Detailed bibliographic record

Summary, etc.:

超LSIをつくるためのレジストの分子設計について、誰にでもわかりやすいよう、豊富な図と最近の実例を用いて平易に解説。(Provided by: 出版情報登録センター(JPRO))

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Table of Contents

Provided by:出版情報登録センター(JPRO)Link to Help Page
  • 序章 なぜ,レジストの研究をするのか?

  • 第1章 超LSIレジストの要件

  • 第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計

  • 第3章 ネガ型レジストの分子設計

  • 第4章 高感度化の分子設計

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Bibliographic Record

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Paper Digital

Material Type
図書
ISBN
4-320-08511-6
Title Transcription
チョウ エルエスアイ レジスト ノ ブンシ セッケイ
Author/Editor
津田穣 著
Author Heading
津田, 穣, 1935- ツダ, ミノル, 1935- ( 00108488 )Authorities
Publication, Distribution, etc.
Publication Date
1990.4
Publication Date (W3CDTF)
1990