超LSIレジストの分子設計 (表面・薄膜分子設計シリーズ ; 11)
超LSIレジストの分子設計
(表面・薄膜分子設計シリーズ ; 11)
- Call No. (NDL)
- PA441-E53
- Bibliographic ID of National Diet Library
- 000002039115
Notes on use
Note (General)：
- 叢書の編者: 日本表面科学会
Detailed bibliographic record
Summary, etc.：
- 超LSIをつくるためのレジストの分子設計について、誰にでもわかりやすいよう、豊富な図と最近の実例を用いて平易に解説。(Provided by: 出版情報登録センター（JPRO）)
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Table of Contents
序章 なぜ，レジストの研究をするのか？
第1章 超LSIレジストの要件
第2章 オルソジアゾナフトキノン系フォトレジストの分子設計
第3章 ネガ型レジストの分子設計
第4章 高感度化の分子設計
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- 5497/ 57/
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- 5491-3043-90
- Book Registration Number：
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- 549.7-2
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- 549.8-ツ
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- Material Type
- 図書
- ISBN
- 4-320-08511-6
- Title
- Title Transcription
- チョウ エルエスアイ レジスト ノ ブンシ セッケイ
- Author/Editor
- 津田穣 著
- Series Title
- Author Heading
- 津田, 穣, 1935- ツダ, ミノル, 1935- ( 00108488 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 1990.4
- Publication Date (W3CDTF)
- 1990