SOI lubistorの物理学と応用

• Material Type: 図書
• ISBN: 978-4-87354-645-2
• Title: SOI lubistorの物理学と応用
• Title Transcription: SOI lubistor ノ ブツリガク ト オウヨウ
• Author/Editor: 大村泰久 著
• Author Heading: 大村, 泰久, 1949- オオムラ, ヤスヒサ, 1949- ( 001119206 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 吹田 : 関西大学出版部
• Publication Date: 2017.2
• Publication Date (W3CDTF): 2017
• Extent: 401p
• Size: 21cm
• Additional Title: SOI lubistors
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• Original Text Lang. Code: eng
• Subject Heading: トランジスタ トランジスタ ( 00573299 )Authorities; シリコン (半導体) シリコン (ハンドウタイ) ( 00571220 )Authorities
• NDC 9th ed.: 549.6 : Electronic engineering
• NDLC: ND371
• Target Audience: 一般
• Note (General): 原タイトル: SOI lubistors
• Note (Bibliography): 文献あり
• Price: 4800円
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: ND371-L103
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 027873850; http://id.ndl.go.jp/bib/027873850
• National Bibliography No. (JPNO): 22858785
• Cataloging Rule: Nippon Cataloguing Rules 1987 Revised Edition
• Bibliographic Record Category (NDL): 111

• Summary, etc.: IBMがSOI基板技術をLSIとして2001年に実用化した時、静電破壊保護用半導体デバイスとしてLubistorが採用された。Lubistorはその後最先端半導体デバイスであるトンネルFETとして注目されている。今後の応用開拓のためLubistorの提案の経緯から現在までの発展過程を詳細に説明する。...

Table of Contents

第１部　pn接合デバイスの歴史の概要と近年のデバイス応用例

第２部　SOI Lubistorの物理学とモデルの検討

―厚い半導体層のデバイス―

第３部　SOI Lubistorの物理学とモデルの検討

―薄い半導体層のデバイス―